Array ThinFilm科PECVD设备工艺考试 - 在线考试测评模板

Q1:姓名

填空1

Q2:工号

填空1

Q3:FGI工序先进行Buffer膜层的主要原因是

起到增透膜作用，提高透过率

防止SiH4流量过大将ITO还原

增强GI膜层粘附性

起缓冲作用，避免GI层将Gate线压断

Q4:以下使用DI water进行冷却的PECVD设备部件是

Chiller

RPSC

RF Generator

Match Box

Q5:MCC软件启动命令为

run.mcc –l –e

run.mcc –z –n

test_enode

killer mmi

Q6:PECVD Process Chamber Dry Clean主要依靠（）实现

RF Generator

Match Box

Gas Panel

RPSC

Q7:以下哪些属于PECVD反应的重要参数

Gas Flow

Spacing

Temperature

Pressure

Power

Q8:以下哪些是GI层沉积需要使用的反应气体

SiH4

PH3

NH3

N2

Q9:Process Chamber 工艺过程中HMS Leak报警，一般情况下可能是由()导致Leak。

ZFFT圆形陶瓷板破裂

Slit Valve纵向Bellows破损

CSD O-ring老化腐蚀

观察窗石英破裂

Q10:CSD拉杆及螺丝的作用是

调整Diffuser中心值

防止BP变形

防止Diffuser中心下垂

使BP和Diffuser联通

Q11:以下关于PECVD Recipe描述错误的是

Specific gas设定意义为步骤开始前提前开启特定气体

Recipe内如无需改气体参与反应则将流量设置为0

Dep Recipe内可设置Susceptor运动速度

Recipe内Dep Time包含该步骤开始初期的稳定时间

Q12:Clean Season描述正确的是

FGI CC1 PT与Clean Season相关性大

PVX量产可使用ANAN结构Season

腔室做完Cln only后，需offline做完Cleanseason才可Online恢复量产

Season是在无玻璃的情况下载腔室内镀一层膜

Q13:镀膜中断可以直接打PL确认玻璃状态。

是

否

Q14:Multi NP分三步是为了增强电子迁移率。

是

否

Q15:PVX dep中的buffer层与FGIdep中的buffer层的作用相同。

是

否

Q16:PVX dep目前存在4种不同的工艺。

是

否

Q17:所有镀膜中断的glass 都必须退片后，再进行补镀。

是

否

Q18:BPSS 的作用是避免BP变形。

是

否

Q19:reflector power为100%可能是BP接地导致的。

是

否

Q20:match 只存在可变电容，可以进行电容调节。

是

否

Q21:更换RF gen后，需要更改对应 RF power table内的数值，abort initial后方可设置成功。

是

否

Q22:VPP Montitor可以实时传输VPP、Frequency、VDC数据。

是

否