半导体培训测试

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Q1:姓名

填空1

Q2:工号

填空1

:一、单选题

Q3:1、自然界的物质、材料按导电能力大小可分哪些种类。

A、导体
B、半导体
C、绝缘体
D、以上三项都是

Q4:2、选出下列属于半导体材料的选项。

A、硅
B、锗
C、砷化镓
D、以上三项都是

Q5:3、当前半导体行业研究的热门话题low-K材料是什么?

A、低介电常数材料
B、所有半导体材料
C、光刻胶材料
D、以上三项都是

Q6:4、低介电常数材料或称low-K材料的介电常数通常是多少以下?

A、介电常数k≤2.8
B、介电常数k≤3.9
C、介电常数 k≤1
D、以上三项都是

Q7:5、晶圆的的8、12英寸是是什么参数指标?

A、重量
B、材料系数
C、晶圆直径
D、晶圆厚度

Q8:6、硅晶圆材料主要来源什么物资的提炼?

A、沙子
B、植物
C、石油
D、海水

Q9:7、晶体管实质上有哪几部分由组成?

A、漏极(Drain)
B、源极(Source)
C、栅极(Gate)
D、以上三项都是

Q10:8、晶圆制造工艺中、芯片电路内纳米架构是晶体管越小越好,栅极的最小宽度就是工艺制程中的X纳米,那么以下哪些选项是我们加工所谓的LOW-K材料?

A、<45nm-32nm
B、<28nm-14nm,
C、<10nm-7nm
D、以上三项都是

Q11:9、选出硅片从原材料到成型的加工工序。

A、冶金熔融
B、拉直长晶
C、晶棒切片
D、以上三项都是

Q12:10、烧蚀激光切割机的加激光属于什么光?

A、日光
B、紫外光
C、红外光
D、黄光

:二、多选题

Q13:11、半导体工厂的生产环境要求包括以下哪些?

A、恒温
B、恒湿
C、ESD 防护
D、防火

Q14:12、下列不属于IC封装生产工序的是。

A、研磨、切割
B、光刻掩膜
C、贴片打线
D、封装

Q15:13、晶圆应用激光切割加工种类。

A、激光开槽
B、激光器全切
C、激光隐切
D、激光剥离

Q16:14、激光加工使用的辅助耗材。

A、保护液(Coat water)
B、银胶
C、金线
D、UV模

Q17:15、半导体封装工序正确的有。

A、研磨-切割-贴片-打线-封装
B、切割-研磨-扩片-贴片-封装
C、贴合-打孔-刻蚀-植球-切割
D、植球-研磨-切割-贴片-装选

Q18:16、下列专业术语解释正确的是。

A、Die 指芯片
B、wafer 指晶圆
C、Lead Frame 指引线框架
D、Epoxy 指银胶

Q19:17、下列封装形式描述正确的有。

A、QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装
B、BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装
C、WLCSP—Wafer Level Chip Size Package 芯片尺寸级封装
D、QFN—Quad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装

Q20:18、下列属于半导体封装加工设备的有。

A、光刻机
B、研磨机
C、激光切割机
D、刀片切割机

Q21:19、下列半导体封装产品激光加工选择正确的有

A、Low-K 选择laser grooving + Blade full cut
B、Silicon /Germanium/GaAs/DAF 选择laser full cut
C、Sapphire/Alumina Ceramics 选择Laser scribe+Break
D、Silicon/Sapphire/SiC/GaAs/Glass/LiTa03/LiNb 选择Stealth dicing

Q22:20、适合激光隐切的材料有?

A、Si
B、SiC
C、GaAs
D、Glass
E、LiNb
F、Sapphire -LED

:三、判断题

Q23:21、CPK是制程能力指数:是一种表示制程水平高低的方便方法,其实质作用是反映制程合格率的高低。

A、对
B、错

Q24:22、FMEA只是一款分析工具,不是一种前瞻性的、分析性的风险评估技术,不具有以下方面能: 识别潜在的故障模式并评估客户的风险,识别产品/工艺失败的潜在原因,评估失败的控制和遏制,确定行动的优先次序,以消除或减少潜在的失败。

A、对
B、错

Q25:23、PDCA 循环是指质量管理的四个阶段,不适应其他项目管理。

A、对
B、错

Q26:24、项目还没有开始,属于不确定项目,不属于保密范畴,可以随意告诉他人。

A、对
B、错

Q27:25、业务洽谈过程中,为了工作方便和高效可以未经甄别的把项目参考原厂信息告诉客户和供应商。

A、对
B、错
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